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英特爾美光科技深度合作 制程容量更大體積更小

相關(guān)文章發(fā)表評論 來源:本站時間:2011/4/21 17:36:07字體大。A-A+

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     4月21日,據(jù)外電報道, 英特爾與美光科技上周宣布推出為NAND閃存開發(fā)的新20nm制程技術(shù),這項技術(shù)用于生產(chǎn)8GB多級單元NAND閃存組件,可為智能型手機與平板計算機提供高容量、體積小,但有如固態(tài)硬盤儲存的解決方案。

     英特爾與美光科技合作推出新制程技術(shù),讓智慧手機、平板計算機中的閃存容量更大、體積更小,今年下半年可能推出小于美國郵票,卻有128GBs儲存容量的樣品。

    英特爾也在與美光合資的閃存公司IMFT官方網(wǎng)站上表示,20nm制程8GB快閃存儲元件目前正在取樣,2011年下半年有望進入大規(guī)模生產(chǎn);屆時,英特爾與美光公司希望能推出16GB組件樣品,可以提供小于美國郵票,卻有128GBs容量的固態(tài)儲存解決方案。

     這次宣布的20nm制程是以原來的25nm制程基礎(chǔ)加以改善。英特爾表示,未來還會在制程技術(shù)上持續(xù)開發(fā)越來越微小的技術(shù)。

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